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耗盡型MOSFET( Depletion Mode MOSFET)與增強型MOSFET有著同樣的柵極結構，所不同是，在常態(tài)下，它內部的（導電）溝道是天生的。換言之，常態(tài)下的耗盡型MOSFET是導通的，這一點與JFET相同，所不同的是二者的柵極結構。

耗盡型MOSFET也有N溝道與P溝道兩種，以P溝道較為常見。橫向溝道的耗盡型MOSFET的結構簡圖如圖1.22所示，也有垂直溝道的產(chǎn)品。P溝道的只需要將結構圖中的“P"與“N”對調即可。

   目前市場上只能見到小功率耗盡型MOSFET產(chǎn)品，電壓規(guī)格為500V左右，比JFET要高得多。